IGBT FGH50N65

3.000 د.ع

IGBT FGH50N65

التصنيف: الوسوم: , ,

مواصفات وأهم تطبيقات IGBT FGH50N65

أولًا: المواصفات الفنية لـ IGBT FGH50N65

FGH50N65 هو ترانزستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) يستخدم في تطبيقات الطاقة العالية، ويجمع بين مزايا الترانزستورات ثنائية القطبية والـ MOSFETs، مما يوفر كفاءة عالية في التبديل مع مقاومة منخفضة.

🔹 الجهد الأقصى بين المجمع والباعث (V_CE): 650V
🔹 التيار الأقصى للمجمع (I_C): 50A
🔹 التيار النبضي الأقصى (I_CM): 100A
🔹 مقاومة التشغيل المنخفضة (R_CE(on)): تقلل فقد الطاقة
🔹 التردد العالي للتبديل: مناسب لتطبيقات التردد العالي
🔹 تقنية التصنيع: يستخدم تكنولوجيا الجيل الرابع من IGBT لتحسين الكفاءة وتقليل الفقد الحراري
🔹 زمن التبديل (Switching Time): سريع، مما يجعله مثاليًا لتحويل الطاقة


ثانيًا: أهم التطبيقات

🔸 محولات الطاقة العاكسة (Inverters)
يستخدم في تصميم دوائر العاكس (Inverter) للتحكم في تشغيل المحركات الكهربائية في التطبيقات الصناعية، مثل محركات التيار المتردد (AC motors).

🔸 إمدادات الطاقة غير المنقطعة (UPS)
يُستخدم في دوائر UPS لضمان كفاءة تحويل الطاقة وتوفير طاقة مستمرة في حالات انقطاع التيار.

🔸 دوائر اللحام الكهربائي
يستخدم في وحدات اللحام التي تعمل بترددات عالية لتحسين كفاءة تشغيل الدائرة وتقليل استهلاك الطاقة.

🔸 محركات التيار المستمر والـ Servo Motors
يستخدم في دوائر التحكم في سرعة المحركات الكهربائية في الأنظمة الصناعية والروبوتات.

🔸 تطبيقات الطاقة الشمسية وطاقة الرياح
يُستخدم في أنظمة تحويل الطاقة المتجددة، مثل أنظمة الطاقة الشمسية وطاقة الرياح، حيث يتم تحويل الجهد والتيار بكفاءة عالية.

🔸 دوائر التحويل في السيارات الكهربائية
يُستخدم في وحدات التحكم بالمحركات الكهربائية للسيارات الكهربائية والهجينة لتحسين كفاءة تحويل الطاقة.


مزايا IGBT FGH50N65

✅ كفاءة عالية في التبديل وتقليل الفقد الحراري
✅ قدرة عالية على التعامل مع التيارات الكبيرة
✅ تصميم محسن يقلل من فقدان الطاقة وزمن التبديل
✅ مقاومة منخفضة تساهم في تقليل الحرارة الناتجة

Specifications and Key Applications of IGBT FGH50N65

1. Technical Specifications of IGBT FGH50N65

The FGH50N65 is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high-power applications. It combines the advantages of bipolar transistors and MOSFETs, offering high switching efficiency with low conduction losses.

🔹 Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE): 650V
🔹 Maximum Collector Current (I_C): 50A
🔹 Maximum Pulsed Collector Current (I_CM): 100A
🔹 Low On-State Resistance (R_CE(on)) for reduced power losses
🔹 High-Frequency Switching capability for efficient power conversion
🔹 Advanced Manufacturing Technology: Uses 4th-generation IGBT technology to enhance efficiency and reduce thermal losses
🔹 Fast Switching Time makes it ideal for high-frequency applications


2. Key Applications of FGH50N65

🔸 Inverters (Power Converters)
Used in inverter circuits to control AC motors in industrial applications, ensuring efficient and smooth operation.

🔸 Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Plays a crucial role in UPS systems by improving power conversion efficiency and ensuring reliable backup power.

🔸 Electric Welding Circuits
Used in high-frequency welding units, improving circuit efficiency and reducing power consumption.

🔸 DC Motor and Servo Motor Control
Widely applied in servo motors and DC motor control in industrial automation and robotics.

🔸 Renewable Energy Systems (Solar & Wind Power)
Used in solar inverters and wind energy converters to efficiently convert and manage power from renewable sources.

🔸 Electric Vehicle (EV) Power Converters
Essential for electric and hybrid vehicle motor controllers, ensuring efficient energy conversion and management.


Advantages of FGH50N65

High Switching Efficiency with minimal power losses
Handles High Currents effectively
Optimized Design reduces switching losses and heat generation
Low Conduction Resistance enhances thermal performance

Click here datasheet

 

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

كن أول من يقيم “IGBT FGH50N65”

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *

قد يعجبك أيضاً…

Shopping Cart