K50H603 IGBT transistor
IGBT ذو تقنية عالية وكفائة من شركة ISC – Inchange Semiconductor Co., Ltd.
مواصفات الترانسستور.
1- فولتية التشغيل: 600V
2- تيار للحمل: 50- 100 امبير حسب تغير درجة الحرارة
3- اقصى تيار لحظي: 200 امبير.
4- فولتية تشغيل البوابة: 20 فولت
5- زمن التشغيل والاطفاء: بحدود 23نانو ثانية
6- التطبيقات: نظرا لسرعة الغلق والفتح للبوابة 23نانو ثانية فهو مناسب جدا لمجهزات القدرة ولمكائن اللحام وحولاق القدرة ذو الترددات العالية
K50H603 IGBT Transistor
High-tech, high-efficiency IGBT from ISC – Inchange Semiconductor Co., Ltd.
Transistor Specifications
1. Operating Voltage: 600V
2. Load Current: 50-100A (depending on temperature)
3. Maximum Instantaneous Current: 200A
4. Gate Voltage: 20V
5. On/Off Time: Approximately 23 ns
6. Applications: Due to its rapid gate opening/closing time of 23 ns, it is ideally suited for power supplies, welding machines, and high-frequency power supplies.
Click here Datasheet: IKW50N60H3
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.