BS170N هو MOSFET للاشارات الضعيفة يوفر أداء تحويل مستقر وسريع ومناسب للاستخدام في تحويل الطاقة AC/DC في وضع التقطيع لتصغير النظام وزيادة الكفاءة ودوائر التحكم في محرك السيرفو الصغيرة ومشغلات بوابة MOSFET للطاقة وتطبيقات التقطيع الأخرى. يحتوي الترانزستور BS170N على جهد تصريف إلى مصدر يبلغ 60 فولت وتيار تصريف ثابت يبلغ 500 مللي أمبير. يتميز بمقاومة تشغيل 2.5 أوم ويمكنه تحمل تيارات ذروة تصل إلى 500 مللي أمبير وجهد بوابة إلى مصدر 20 فولت. يستخدم على نطاق واسع لأجهزة التقطيع العالية السرعة وللدوائر المتوافقة مع الإشارات الرقمية. يأتي بعبوة من نوع TO-92
The BS170N is a small signal N-channel Enhancement Mode MOSFET.. It offers stable, quick switching performance and is suitable for use in AC/DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and higher efficiency, tiny servo motor control circuits, power MOSFET gate drivers, and other switching applications. The BS170N transistor has a drain to source voltage of 60V and a constant drain current of 500mA. It features a 2.5-ohm on-state resistance and can tolerate peak currents of up to 500mA, 20V gate to source voltage, wildly used for high speed switching devices, and for circuits compatible with digital signals. package TO-92
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.