IRF840 — ترانزستور MOSFET من النوع N-channel
المواصفات الأساسية:
- جهد التصريف إلى المصدر (Vds): 500 فولت
- تيار التصريف المستمر (Id): 8 أمبير عند 25°م
- جهد عتبة البوابة (Vgs(th)): من 2 إلى 4 فولت
- مقاومة التشغيل (Rds(on)): تقريبًا 0.85 أوم عند Vgs = 10 فولت وId = 5 أمبير
- الشحنة الكلية للبوابة (Qg): تقريبًا 63 نانوسيكولوم
- القدرة المستهلكة (Pd): 125 واط
- نوع التغليف: TO-220
الاستخدامات النموذجية:
- مزودات الطاقة من نوع التحويل (Switch Mode Power Supplies)
- محولات DC-DC
- العواكس ذات الجهد العالي
- مشغلات المحركات
- التحكم بالأحمال الحثية أو المصابيح
IRF840 — N-channel power MOSFET.
Key specifications:
- Drain-Source Voltage (Vds): 500 V
- Continuous Drain Current (Id): 8 A @ 25 °C
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 2 – 4 V
- On-Resistance (Rds(on)): ≈ 0.85 Ω @ Vgs = 10 V, Id = 5 A
- Total Gate Charge (Qg): ≈ 63 nC
- Power Dissipation (Pd): 125 W
- Package: TO-220
Typical uses:
- Off-line switch-mode power supplies
- DC-DC converters
- High-voltage inverters
- Motor drivers
- Lamp/inductive load switching
Click here Datasheet: IRF840
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.