إن IRS2004S عبارة عن دائرة متكاملة عالية الجهد وعالية السرعة مصممة للتحكم في كل من MOSFETs أو IGBTs ذات القناة N ذات الجانب العالي والجانب المنخفض في تكوينات نصف الجسر. وهي تدعم جهد إمداد عائم يصل إلى 200 فولت وتتميز بتحكم مستقل في الإدخال للمفاتيح ذات الجانب العالي والجانب المنخفض. توفر الدائرة المتكاملة ميزات حماية قوية، بما في ذلك قفل الجهد المنخفض لكلا القناتين، مما يضمن التشغيل الموثوق به في ظل ظروف الإمداد المنخفضة. توفر IRS2004S تيار خرج ذروة يبلغ 250 مللي أمبير (المصدر) و500 مللي أمبير (المصرف)، مما يجعلها مناسبة لتطبيقات التبديل عالية السرعة مثل التحكم في المحرك والعاكسات وإمدادات الطاقة. تمنع ميزة الوقت الميت المدمجة التوصيل المتبادل، مما يعزز الكفاءة والسلامة في دوائر تحويل الطاقة.
The IRS2004S is a high-voltage, high-speed gate driver IC designed to control both high-side and low-side N-channel MOSFETs or IGBTs in half-bridge configurations. It supports a floating supply voltage of up to 200V and features independent input control for the high and low-side switches. The IC provides robust protection features, including under-voltage lockout for both channels, ensuring reliable operation under low supply conditions. The IRS2004S offers a peak output current of 250mA (source) and 500mA (sink), making it suitable for high-speed switching applications such as motor control, inverters, and power supplies. Its built-in dead-time feature prevents cross-conduction, enhancing efficiency and safety in power conversion circuits.
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.