IRS2101S عبارة عن دائرة متكاملة لمحرك بوابة عالي الجهد مصممة للتحكم في كل من MOSFETs أو IGBTs ذات القناة N ذات الجانب العالي والجانب المنخفض في تكوينات نصف الجسر. تعمل بجهد إمداد عائم يصل إلى 600 فولت، مما يجعلها مناسبة لتطبيقات الجهد العالي. تتميز الدائرة المتكاملة بتحكم مستقل في الإدخال لمحركات الجانب العالي والجانب المنخفض، مع وقت ميت مدمج لمنع التسرب. توفر تيار خرج ذروة يبلغ 120 مللي أمبير (المصدر) و250 مللي أمبير (المصرف)، مما يتيح التبديل الفعال. تتميز IRS2101S أيضًا بقفل الجهد المنخفض لكلا القناتين، مما يضمن التشغيل الآمن في ظل ظروف جهد الإمداد المنخفض. تُستخدم هذه الدائرة المتكاملة على نطاق واسع في محركات المحركات والعاكسات وتطبيقات تحويل الطاقة المختلفة نظرًا لأدائها القوي وقدراتها ذات الجهد العالي.
The IRS2101S is a high-voltage gate driver IC designed to control both high-side and low-side N-channel MOSFETs or IGBTs in half-bridge configurations. It operates with a floating supply voltage up to 600V, making it suitable for high-voltage applications. The IC has independent input control for high-side and low-side drivers, with a built-in dead-time to prevent shoot-through. It offers a peak output current of 120mA (source) and 250mA (sink), enabling efficient switching. The IRS2101S also features under-voltage lockout for both channels, ensuring safe operation under low supply voltage conditions. This IC is widely used in motor drives, inverters, and various power conversion applications due to its robust performance and high-voltage capabilities.
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.