IRS2110S عبارة عن دائرة متكاملة لقيادة بوابة عالي الجهد مصممة للتحكم في كل من MOSFETs أو IGBTs ذات القناة N ذات الجانب العالي والجانب المنخفض في تكوينات نصف الجسر. يمكن تشغيلها بجهد إمداد عائم يصل إلى 600 فولت، مما يجعلها مثالية لتطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد العالي. توفر الدائرة المتكاملة تحكمًا مستقلاً لكلا القناتين وتتميز بوقت توقف مدمج لمنع التسرب. توفر تيار خرج ذروة يبلغ 2 أمبير، مما يتيح التبديل السريع والفعال. تتضمن IRS2110S حماية قفل الجهد المنخفض لكل من محركات الجانب العالي والجانب المنخفض، مما يضمن التشغيل الموثوق به. تُستخدم على نطاق واسع في محركات المحركات والعاكسات وأنظمة إمداد الطاقة حيث يكون التبديل عالي الجهد وعالي السرعة أمرًا بالغ الأهمية.
The IRS2110S is a high-voltage gate driver IC designed to control both high-side and low-side N-channel MOSFETs or IGBTs in half-bridge configurations. It can operate with a floating supply voltage of up to 600V, making it ideal for high-voltage power conversion applications. The IC offers independent control for both channels and features a built-in dead-time to prevent shoot-through. It provides a peak output current of 2A, enabling fast and efficient switching. The IRS2110S includes under-voltage lockout protection for both the high-side and low-side drivers, ensuring reliable operation. It is widely used in motor drives, inverters, and power supply systems where high-voltage and high-speed switching are critical.
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.