Transistor BD139

مواصفات الترانزستور BD139:

1. نوع الترانزستور: NPN ثنائي القطبية (BJT)
2. نوع الغلاف: TO-126
3. جهد المجمع-باعث (Vceo): 80 فولت
4. تيار المجمع (Ic): 1.5 أمبير
5. استهلاك الطاقة: 12.5 واط
6. كسب التيار (hFE): 160 – 40
7. تردد القطع (fT): 250 ميجاهرتز
8. التطبيق: تضخيم للأغراض العامة
9. الاستخدامات الشائعة: مكبرات الصوت، مراحل التحكم، منظمات الجهد
10. طريقة التثبيت: ثقوب مع إمكانية إضافة مبرد حراري

Transistor BD139 Specifications:

1. Transistor Type: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
2. Package: TO-126
3. Collector-Emitter Voltage (Vceo): 80V
4. Collector Current (Ic): 1.5A
5. Power Dissipation: 12.5W
6. DC Current Gain (hFE): 40 – 160
7. Frequency Transition (fT): 250 MHz
8. Application: General purpose amplification
9. Common Uses: Audio amplifiers, driver stages, linear regulators
10. Mounting: Through-hole with heatsink capability

BD135:Click here datasheet